40纳米MOSFET毫米波等效电路的弱反区关键参数提取
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN386.1

基金项目:

国家自然科学基金


Key parameter extration of the millimeter-wave equivalent circuit of 40nm MOSFET in weak inversion
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    本文以双端口网络的分析方法为依托,对40纳米MOSFET的毫米波小信号等效电路的弱反区参数进行提取。该等效电路基于准静态逼近,包括完整的本征准静态MOSFET模型、串联的栅极电阻、源极电阻、漏极电阻以及衬底耦合网络。元件参数提取分为寄生参数提取和本征部分提取,是通过其等效电路的开路短路法来简化等效电路以及分析Y参数所得,提取的结果具有物理意义以及其方法能够去嵌寄生效应,如器件衬底耦合。

    Abstract:

    In this paper ,an efficient parameter extraction method of the small signal equivalent circuit of 40nm MOS transistors on the weak-inversion region are presented by using two-port network analysis method in millimeter wave frequency bands. The equivalent circuit is based on a quasi-static approximation, which includes the complete intrinsic quasi-static MOS model, the series gate resistance, source resistance, drain resistance and a substrate coupling network. Device parameters extraction which divided into parasitic parameter extraction and intrinsic part extraction is performed by Y-parameter analysis on simplifying the equivalent circuit for the way of OPEN and SHORT structures. The extracted results are physically meaningful and can be used to de-embed the extrinsic effects such as the substrate coupling .

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

引用本文格式: 王林,王军,王丹丹. 40纳米MOSFET毫米波等效电路的弱反区关键参数提取[J]. 四川大学学报: 自然科学版, 2017, 54: 523.

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2016-06-02
  • 最后修改日期:2017-01-28
  • 录用日期:2017-02-23
  • 在线发布日期: 2017-05-15
  • 出版日期: