Mg掺杂GaN结构及电子结构的理论研究
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O521+.2

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国家自然科学基金,其它


Theoretical study on structure and electronic structure of GaN with Mg doped
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    摘要:

    采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法研究了金属元素Mg掺杂GaN的结构及电子结构性质。计算金属Mg分别替换Ga和N原子后体系的结合能,得到Mg原子更容易替换Ga原子,与他人的结果一致。掺杂后晶格常数a和c反而略有增大,并且高压下的情况是类似的。Mg掺杂后GaN电子结构显示掺杂使得GaN带隙略有增加,压强从0GPa增加到20GPa,掺杂前后带隙值分别增大约39.1%和38.4%。

    Abstract:

    The structure and electronic structure properties of GaN doped with Mg are studied by plane-wave pseudopotential density functional theory method. By calculating the binding energy of systems with Mg replacing the Ga and N atoms respectively, it is easier for Mg atoms to replace the Ga atoms, which is consistent with the results of others. The lattice constants a and c are slightly increased after doping, and the case under high pressure is similar. With the pressure increasing from 0 GPa to 20 GPa, the band gaps of the GaN and the doped-GaN increase by about 39.1% and 38.4%, respectively.

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引用本文格式: 王海燕,李旭升,李丹,姚彦文. Mg掺杂GaN结构及电子结构的理论研究[J]. 四川大学学报: 自然科学版, 2017, 54: 997.

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  • 收稿日期:2017-06-15
  • 最后修改日期:2017-07-20
  • 录用日期:2017-07-25
  • 在线发布日期: 2017-09-27
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