优质高稳定性微晶硅薄膜的制备
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

O433

基金项目:

国家自然科学基金,其它


Preparation of the high-quality and stable
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    对以SiCl4和H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在低温快速沉积优质高稳定性的微晶硅薄膜进行了研究。在低于250℃下,成功制备出了沉积速率高达0.28nm/s、晶化度达80%以上的微晶硅薄膜。通过光照实验,表明该微晶硅薄膜光致电导率基本保持恒定;通过对气流分布进行调节,微晶硅薄膜的均匀性得到明显改善,均匀度高达95%。

    Abstract:

    High-quality microcrystalline silicon films with improved stability were prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition technique from SiCl4/H2 under 250℃, at a higher rate over 0.28nm/s, with a crystalline fraction of 80%. The photoconductivity of the microcrystalline silicon films keeps a constance after 540min long light soaking. The thickness uniformity of films was markedly improved (more than 95%) by altering the distribution of pore.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

引用本文格式: 祝祖送,张杰,易明芳,尹训昌,闻军. 优质高稳定性微晶硅薄膜的制备[J]. 四川大学学报: 自然科学版, 2016, 53: 157.

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2015-09-23
  • 最后修改日期:2015-10-21
  • 录用日期:2015-10-29
  • 在线发布日期: 2016-05-30
  • 出版日期: